AMD堆叠L2缓存技术，X3D终极形态下的能效与延迟双重突破

AMD即将推出创新技术，将堆叠L2缓存作为X3D终极形态的亮点，这一举措将带来能效和延迟的双重飞跃，提升计算机性能，这项新技术有望为用户带来更快的数据处理速度和更好的多任务处理能力。

1月16日消息，在堆叠L3缓存的3D V-Cache技术助其统治游戏CPU市场后，AMD并未止步。

近日，AMD公布了一篇名为《均衡延迟堆叠缓存》（Balanced Latency Stacked Cache）的研究论文（专利号US20260003794A1），揭示了其在缓存架构上的下一个计划：堆叠L2缓存。

目前的3D V-Cache主要是通过在核心上方或下方堆叠额外的L3缓存来提升性能，而新专利显示，AMD正在探索将堆叠技术引入距离CPU核心更近、响应更快的L2缓存。

示例图显示，AMD设想了一种多层堆叠结构，基础层连接计算核心与缓存模块，上方可继续叠加多层缓存Die，例如通过四组512KB区域组成的2MB L2模块，甚至可以进一步扩展至4MB。

堆叠方法利用了与3D V-Cache相同的原理，通过硅通孔（TSV）将L2/L3堆叠连接到基础芯片和计算复合体，配置在堆叠缓存系统的中心垂直方向，CCC控制数据输入和输出。

在论文中，AMD使用平面1 MB和2 MB L2缓存配置作为示例指出，平面配置的1 MB L2缓存的典型延迟为14个周期，而堆叠的1 MB L2缓存的延迟为12个周期。

这表明堆叠L2缓存不仅可以提供更高的容量，还可以实现与典型平面方法相似或更好的周期延迟，此外AMD还提到，这种架构具有明显的节省功耗优势。